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      RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)NE-RE08

      • 產(chǎn)品型號(hào):NE-RE08
      • 性能特點(diǎn):刻蝕速率快,各向異性好
      • 產(chǎn)品用途:干法刻蝕
      • 產(chǎn)品介紹
      • 產(chǎn)品參數(shù)
      反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是集成電路制造工藝中刻蝕工藝的一種,它具有各向異性、刻蝕均勻性好、刻蝕線寬損失小等特點(diǎn)。RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),結(jié)合了物理刻蝕和化學(xué)刻蝕的特點(diǎn),使用等離子體中的離子和化學(xué)反應(yīng)共同作用于材料表面,可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕,可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。

      技術(shù)指標(biāo):
      RF功率:300W
      晶片尺寸:最大8英寸
      反應(yīng)氣體:CF4、CHF3、SF6、O2、Ar等
      刻蝕材料:可用于硅及化合物(如SiN、SiO2、SiC等),有機(jī)物(如光刻膠、PMMA、ARC等)等材料。
      均勻性:<±10%

      反應(yīng)離子刻蝕的特點(diǎn):
      (1)刻蝕過程中物理刻蝕和化學(xué)刻蝕一同參與,具有各向異性的特點(diǎn)。
      (2)氣壓較低,氣體的自由程大,離子被電場作用的距離長,因此離子的動(dòng)能增大,物理濺射作用和化學(xué)反應(yīng)都被增強(qiáng),刻蝕速率被極大提高。
      (3)通過選用不同的氣體對不同的材料進(jìn)行刻蝕,比如選用SF6、CF4等氣體對硅、氮化硅、鎢等材料進(jìn)行刻蝕,CHF3對二氧化硅進(jìn)行刻蝕,以及O2對聚合物進(jìn)行刻蝕。

      工作臺(tái)尺寸 Φ300mm(11.8inch)
      有效處理尺寸 Φ280mm(loading up to 8" round substrate)
      冷卻方式 水冷固定電極
      等離子電源 13.56MHz/600W連續(xù)調(diào)節(jié)
      自動(dòng)阻抗匹配可連續(xù)長時(shí)間工作
      氣體流量控制 0-500sccm
       MFC氣體質(zhì)量流量計(jì)精確控制流量
      反應(yīng)氣體 標(biāo)準(zhǔn)配置2路,最大可配置4路。
      O2、Ar、N2,CF4,Cl2等氣體
      刻蝕方式 RIE
      真空泵 30M3/H(干泵)
      真空測定系統(tǒng) 1.0×105~1×10-1 Pa
      充氣系統(tǒng) N2+節(jié)流閥控制
      抽真空時(shí)間 60s以內(nèi)
      破真空時(shí)間 ≤15s
      輸入氣壓檢測系統(tǒng) 氣壓自動(dòng)報(bào)警
      電源 AC220V
      控制系統(tǒng) PLC+人機(jī)交互觸摸屏
       

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